1、用指針式萬用表對場效應管進行判別

　　A）用測電阻法判別結型場效應管的電*

　　根據場效應管的PN結正、反向電阻值不一樣的現象，可以判別出結型場效應管的三個電*。具體方法：將萬用表撥在R×1k檔上，任選兩個電*，分別測出其正、反向電阻值。當某兩個電*的正、反向電阻值相等，且為幾千歐姆時，則該兩個電*分別是漏*D和源*S。因為對結型場效應管而言，漏*和源*可互換，剩下的電*肯定是柵*Ｇ。也可以將萬用表的黑表筆（紅表筆也行）任意接觸一個電*，另一只表筆依次去接觸其余的兩個電*，測其電阻值。當出現兩次測得的電阻值近似相等時，則黑表筆所接觸的電*為柵*，其余兩電*分別為漏*和源*。若兩次測出的電阻值均很大，說明是ＰＮ結的反向，即都是反向電阻，可以判定是Ｎ溝道場效應管，且黑表筆接的是柵*；若兩次測出的電阻值均很小，說明是正向ＰＮ結，即是正向電阻，判定為Ｐ溝道場效應管，黑表筆接的也是柵*。若不出現上述情況，可以調換黑、紅表筆按上述方法進行測試，直到判別出柵*為止。

　　B）用測電阻法判別場效應管的好壞

　　測電阻法是用萬用表測量場效應管的源*與漏*、柵*與源*、柵*與漏*、柵*Ｇ1與柵*Ｇ2之間的電阻值同場效應管手冊標明的電阻值是否相符去判別管的好壞。具體方法：首先將萬用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100檔，測量源*Ｓ與漏*Ｄ之間的電阻，通常在幾十歐到幾千歐范圍（在手冊中可知，各種不同型號的管，其電阻值是各不相同的），如果測得阻值大于正常值，可能是由于內部接觸不良；如果測得阻值是無窮大，可能是內部斷*。然后把萬用表置于Ｒ×１０ｋ檔，再測柵*Ｇ1與Ｇ2之間、柵*與源*、柵*與漏*之間的電阻值，當測得其各項電阻值均為無窮大，則說明管是正常的；若測得上述各阻值太小或為通路，則說明管是壞的。要注意，若兩個柵*在管內斷*，可用元件代換法進行檢測。

　　C）用感應信號輸人法估測場效應管的放大能力

　　具體方法：用萬用表電阻的R×100檔，紅表筆接源*Ｓ，黑表筆接漏*Ｄ，給場效應管加上1.5Ｖ的電源電壓，此時表針指示出的漏源*間的電阻值。然后用手捏住結型場效應管的柵*Ｇ，將人體的感應電壓信號加到柵*上。這樣，由于管的放大作用，漏源電壓VDS和漏*電流Iｂ都要發生變化，也就是漏源*間電阻發生了變化，由此可以觀察到表針有較大幅度的擺動。如果手捏柵*表針擺動較小，說明管的放大能力較差；表針擺動較大，表明管的放大能力大；若表針不動，說明管是壞的。

　　根據上述方法，我們用萬用表的R×100檔，測結型場效應管3DJ2F。先將管的Ｇ*開路，測得漏源電阻RDS為600Ω，用手捏住Ｇ*后，表針向左擺動，指示的電阻RDS為12kΩ，表針擺動的幅度較大，說明該管是好的，并有較大的放大能力。

　　運用這種方法時要說明幾點：首先，在測試場效應管用手捏住柵*時，萬用表針可能向右擺動（電阻值減小），也可能向左擺動（電阻值增加）。這是由于人體感應的交流電壓較高，而不同的場效應管用電阻檔測量時的工作點可能不同（或者工作在飽和區或者在不飽和區）所致，試驗表明，多數管的RDS增大，即表針向左擺動；少數管的RDS減小，使表針向右擺動。但無論表針擺動方向如何，只要表針擺動幅度較大，就說明管有較大的放大能力。第二，此方法對MOS場效應管也適用。但要注意，MOS場效應管的輸人電阻高，柵*Ｇ允許的感應電壓不應過高，所以不要直接用手去捏柵*，必須用于握螺絲刀的絕緣柄，用金屬桿去碰觸柵*，以防止人體感應電荷直接加到柵*，引起柵*擊穿。第三，每次測量完畢，應當G-S*間短路一下。這是因為G-S結電容上會充有少量電荷，建立起ＶGＳ電壓，造成再進行測量時表針可能不動，只有將G-S*間電荷短路放掉才行。

　　D）用測電阻法判別無標志的場效應管

　　首先用測量電阻的方法找出兩個有電阻值的管腳，也就是源*Ｓ和漏*Ｄ，余下兩個腳為*柵*G1和第二柵*G2。把先用兩表筆測的源*Ｓ與漏*Ｄ之間的電阻值記下來，對調表筆再測量一次，把其測得電阻值記下來，兩次測得阻值較大的一次，黑表筆所接的電*為漏*Ｄ；紅表筆所接的為源*Ｓ。用這種方法判別出來的Ｓ、Ｄ*，還可以用估測其管的放大能力的方法進行驗證，即放大能力大的黑表筆所接的是Ｄ*；紅表筆所接地是８*，兩種方法檢測結果均應一樣。當確定了漏*Ｄ、源*Ｓ的位置后，按Ｄ、Ｓ的對應位置裝人電路，一般G1、G2也會依次對準位置，這就確定了兩個柵*G1、G2的位置，從而就確定了Ｄ、S、G1、G2管腳的順序。

　　E）用測反向電阻值的變化判斷跨導的大小

　　對ＶＭＯＳＮ溝道增強型場效應管測量跨導性能時，可用紅表筆接源*Ｓ、黑表筆接漏*Ｄ，這就相當于在源、漏*之間加了一個反向電壓。此時柵*是開路的，管的反向電阻值是很不穩定的。將萬用表的歐姆檔選在R×10kΩ的高阻檔，此時表內電壓較高。當用手接觸柵*Ｇ時，會發現管的反向電阻值有明顯地變化，其變化越大，說明管的跨導值越高；如果被測管的跨導很小，用此法測時，反向阻值變化不大。

　　2、場效應管的使用注意事項

　　A）為了安全使用場效應管，在線路的設計中不能超過管的耗散功率，*大漏源電壓、*大柵源電壓和*大電流等參數的*限值。

　　B）各類型場效應管在使用時，都要嚴格按要求的偏置接人電路中，要遵守場效應管偏置的*性。如結型場效應管柵源漏之間是ＰＮ結，Ｎ溝道管柵*不能加正偏壓；Ｐ溝道管柵*不能加負偏壓，等等。

　　C）MOS場效應管由于輸人阻抗*高，所以在運輸、貯藏中必須將引出腳短路，要用金屬屏蔽包裝，以防止外來感應電勢將柵*擊穿。尤其要注意，不能將MOS場效應管放人塑料盒子內，保存時*好放在金屬盒內，同時也要注意管的防潮。

　　D）為了防止場效應管柵*感應擊穿，要求一切測試儀器、工作臺、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地；管腳在焊接時，先焊源*；在連入電路之前，管的全部引線端保持互相短接狀態，焊接完后才把短接材料去掉；從元器件架上取下管時，應以適當的方式確保人體接地如采用接地環等；當然，如果能采用先進的氣熱型電烙鐵，焊接場效應管是比較方便的，并且確保安全；在未關斷電源時，*不可以把管插人電路或從電路中拔出。以上安全措施在使用場效應管時必須注意。

　　E）在安裝場效應管時，注意安裝的位置要盡量避免靠近發熱元件；為了防管件振動，有必要將管殼體緊固起來；管腳引線在彎曲時，應當大于根部尺寸５毫米處進行，以防止彎斷管腳和引起漏氣等。

　　對于功率型場效應管，要有良好的散熱條件。因為功率型場效應管在高負荷條件下運用，必須設計足夠的散熱器，確保殼體溫度不超過額定值，使器件長期穩定可靠地工作。

　　總之，確保場效應管安全使用，要注意的事項是多種多樣，采取的安全措施也是各種各樣，廣大的專業技術人員，特別是廣大的電子愛好者，都要根據自己的實際情況出發，采取切實可行的辦法，安全有效地用好場效應管。

　　3、VMOS場效應管

　　VMOS場效應管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場效應管，其全稱為V型槽MOS場效應管。它是繼MOSFET之后新發展起來的高效、功率開關器件。它不僅繼承了MOS場效應管輸入阻抗高（≥108W）、驅動電流小（0.1μA左右），還具有耐壓高（*高1200V）、工作電流大（1.5A～100A）、輸出功率高（1～250W）、跨導的線性好、開關速度快等優良特性。正是由于它將電子管與功率晶體管之優點集于一身，因此在電壓放大器（電壓放大倍數可達數千倍）、功率放大器、開關電源和逆變器中正獲得廣泛應用。

　　VMOS場效應功率管具有*高的輸入阻抗及較大的線性放大區等優點，尤其是其具有負的電流溫度系數，即在柵-源電壓不變的情況下，導通電流會隨管溫升高而減小，故不存在由于“二次擊穿”現象所引起的管子損壞現象。因此，VMOS管的并聯得到廣泛應用。

　　眾所周知，傳統的MOS場效應管的柵*、源*和漏*大大致處于同一水平面的芯片上，其工作電流基本上是沿水平方向流動。VMOS管則不同，從圖1上可以看出其兩大結構特點:*，金屬柵*采用V型槽結構；第二，具有垂直導電性。由于漏*是從芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流動，而是自重摻雜N+區（源*S）出發，經過P溝道流入輕摻雜N-漂移區，*后垂直向下到達漏*D。電流方向如圖中箭頭所示，因為流通截面積增大，所以能通過大電流。由于在柵*與芯片之間有二氧化硅絕緣層，因此它仍屬于絕緣柵型MOS場效應管。

　　國內生產VMOS場效應管的主要廠家有877廠、天津半導體器件四廠、杭州電子管廠等，典型產品有VN401、VN672、VMPT2等。

　　下面介紹檢測VMOS管的方法：

　　a)判定柵*G

　　將萬用表撥至R×1k檔分別測量三個管腳之間的電阻。若發現某腳與其字兩腳的電阻均呈無窮大，并且交換表筆后仍為無窮大，則證明此腳為G*，因為它和另外兩個管腳是絕緣的。

　　b)判定源*S、漏*D

　　由圖1可見，在源-漏之間有一個PN結，因此根據PN結正、反向電阻存在差異，可識別S*與D*。用交換表筆法測兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時黑表筆的是S*，紅表筆接D*。

　　c)測量漏-源通態電阻RDS（on）

　　將G-S*短路，選擇萬用表的R×1檔，黑表筆接S*，紅表筆接D*，阻值應為幾歐至十幾歐。

　　由于測試條件不同，測出的RDS（on）值比手冊中給出的典型值要高一些。例如用500型萬用表R×1檔實測一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W，大于0.58W（典型值）。

　　d)檢查跨導

　　將萬用表置于R×1k（或R×100）檔，紅表筆接S*，黑表筆接D*，手持螺絲刀去碰觸柵*，表針應有明顯偏轉，偏轉愈大，管子的跨導愈高。

　　注意事項：

　　1）VMOS管亦分N溝道管與P溝道管，但絕大多數產品屬于N溝道管。對于P溝道管，測量時應交換表筆的位置。

　　2）有少數VMOS管在G-S之間并有保護二*管，本檢測方法中的1、2項不再適用。

　　3）目前市場上還有一種VMOS管功率模塊，專供交流電機調速器、逆變器使用。例如美國IR公司生產的IRFT001型模塊，內部有N溝道、P溝道管各三只，構成三相橋式結構。

　　4）現在市售VNF系列（N溝道）產品，是美國Supertex公司生產的超高頻功率場效應管，其*高工作頻率fp=120MHz，IDSM=1A，PDM=30W，共源小信號低頻跨導gm=2000μS。適用于高速開關電路和廣播、通信設備中。

　　5）使用VMOS管時必須加合適的散熱器后。以VNF306為例，該管子加裝140×140×4（mm）的散熱器后，*大功率才能達到30W。

　　6）多管并聯后，由于*間電容和分布電容相應增加，使放大器的高頻特性變壞，通過反饋容易引起放大器的高頻寄生振蕩。為此，并聯復合管管子一般不超過4個，而且在每管基*或柵*上串接防寄生振蕩電阻。